JEDEC JESD79-5 · 14-bit CA 总线命令解码 / 编码
例如 0x0013（REFab）、0x00c5 0x045b（MRW）、MRR mra=6。
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| 命令 | 说明 | 拍数 | CA 编码 | 示例 |
|---|---|---|---|---|
| VrefCA (VrefCA) | 设置 CA/CS 参考电压，OP[6:0] 为 Vref 值。 | 1 | 0x03 |
0x0403 |
| VrefCS (VrefCS) | 设置 CS 参考电压，OP[6:0] 为 Vref 值。 | 1 | 0x03 |
0x1403 |
| REFab/RFMab/REFsb/RFMsb (REF) | 刷新命令（All Bank / Same Bank，含 Refresh Management）。CA8=RIR，CA9/CA10 用于 RFM 与 1x/2x 刷新速率指示。 | 1 | 0x13 |
0x0013 |
| PREab/PREsb (PREab) | 预充电：所有 bank（PREab）或所有 bank group 中的同一个 bank（PREsb）。 | 1 | 0x0b |
0x000b |
| PREpb (PREpb) | 按 BG/BA 指定的单个 bank 预充电。 | 1 | 0x1b |
0x025b |
| RFU (RFU) | 保留命令（Reserved for Future Use）。 | 1 | 0x07 |
0x0007 |
| SRE/SREF/PDE (SRE) | 进入自刷新 (SRE) / 自刷新中 (SREF) / 进入掉电 (PDE)；CA9/CA10 控制掉电期间 ODT 是否保持。 | 1 | 0x17 |
0x0017 |
| MPC (MPC) | 多功能命令 (Multi-Purpose Command)：初始化、训练与周期性校准，OP[7:0] 选择具体操作。 | 1 | 0x0f |
0x004f |
| NOP/PDX (NOP) | 空操作 (NOP)；在掉电状态下同样的编码表示退出掉电 (PDX)。 | 1 | 0x1f |
0x001f |
| ACT (ACT) | 激活：R[16:0] 行地址、BA[1:0]、BG[2:0]、CID[3:0]；第二拍 CA13 为 CID3/R17 复用脚。 | 2 | CA[1:0]=00 |
0x0250 0x0123 |
| RFU (2-cycle) (RFU2) | 保留命令（Reserved for Future Use）。 | 2 | 0x01 / 0x11 / 0x19 |
0x0001 0x0000 |
| WRP/WRPA (WRP) | 写 Pattern（Write Pattern / 带自动预充电），用于训练，仅支持 BL16 / BL32。 | 2 | 0x09 |
0x0269 0x0c10 |
| MRW (MRW) | 模式寄存器写：MRA[7:0] 寄存器地址、OP[7:0] 写入值；CW=L 时才真正写入。 | 2 | 0x05 |
0x00c5 0x005b |
| MRR (MRR) | 模式寄存器读：MRA[7:0] 寄存器地址；第二拍 CA[1:0]=L 用于 burst ordering。 | 2 | 0x15 |
0x00d5 0x0000 |
| WR/WRA (WR) | 写 / 写自动预充电：C[10:3] 在第二拍，AP 为自动预充电，WR_p=L 表示部分写。 | 2 | 0x0d |
0x024d 0x0010 |
| RD/RDA (RD) | 读 / 读自动预充电：C[10:2] 在第二拍，C[1:0] 用于 burst ordering。 | 2 | 0x1d |
0x025d 0x0010 |
| 模式寄存器（JESD79-5C §3.5） | ||||
| MR · 模式寄存器总览 (MR) | MRA[7:0] 可选 256 个字节寄存器；本页收录 JESD79-5C 目录里的 MR0~MR70 与 DFE 区（MR103~MR254）代表条目。MR 号 = MRA 地址。 | MRA | MRW / MRR |
MR |
| 模式寄存器（JESD79-5C §3.5）· 基础配置 / 时序（MR0~MR13） | ||||
| MR0 · 突发长度与 CAS 延迟 (MR0) | BL | MA = 00H | MRW / MRR |
MR0 |
| MR1 · PDA 逐颗可寻址模式细节 (MR1) | PDA（Per DRAM Addressability）逐颗可寻址：给同一 rank 上的每颗 DRAM 编 Enumerate ID，再按 ID 单独下发 MRW（用于按颗粒调整驱动强度 / ODT / Vref）。 | MA = 01H | MRW / MRR |
MR1 |
| MR2 · 功能模式 (MR2) | 器件功能模式的总开关（如各类可选特性的使能）。 | MA = 02H | MRW / MRR |
MR2 |
| MR3 · DQS 训练设置 (MR3) | DQS 相关训练的配置（写均衡、DQS 选通训练等的使能与模式）。 | MA = 03H | MRW / MRR |
MR3 |
| MR4 · 刷新设置 (MR4) | 刷新设置：刷新模式（如 1x / 2x / 4x 与精细刷新）、温度传感器相关配置。 | MA = 04H | MRW / MRR |
MR4 |
| MR5 · IO 设置 (MR5) | IO 相关设置：输出驱动强度、端接相关开关等。 | MA = 05H | MRW / MRR |
MR5 |
| MR6 · 写恢复时间与 tRTP (MR6) | tWR / tRTP | MA = 06H | MRW / MRR |
MR6 |
| MR7 · 写均衡内部 +0.5tCK 对齐偏移 (MR7) | 写均衡训练的内部周期对齐：把内部写路径再偏移 +0.5 tCK，用于细粒度相位对齐。 | MA = 07H | MRW / MRR |
MR7 |
| MR8 · 前导码 / 后导码 (MR8) | 读 / 写 DQS 前导码（preamble）与后导码（postamble）长度与模式，以及读 DQS 偏移（Read DQS Offset）相关设置。 | MA = 08H | MRW / MRR |
MR8 |
| MR9 · 回写抑制与测试模式 (MR9) | ECS 回写抑制（避免 x4 器件读改写把校正数据写回）与测试模式 TM。 | MA = 09H | MRW / MRR |
MR9 |
| MR10 · VrefDQ 校准值 (MR10) | DQ 接收参考电压 VrefDQ 的校准值（整字节为校准码，写完需等 tVREF 生效）。 | MA = 0AH | MRW / MRR |
MR10 |
| MR11 · VrefCA 校准值 (MR11) | 命令 / 地址接收参考电压 VrefCA 的校准值。 | MA = 0BH | MRW / MRR |
MR11 |
| MR12 · VrefCS 校准值 (MR12) | 片选 CS_n 接收参考电压 VrefCS 的校准值。 | MA = 0CH | MRW / MRR |
MR12 |
| MR13 · 同步、CS Geardown 与多项 tCCD / tDLLK 设置 (MR13) | 自刷新退出（SRX）与 NOP 时钟同步、CS Geardown 模式，以及 tCCD_L、tCCD_L_WR、tCCD_L_WR2、tDLLK 的档位选择。 | MA = 0DH | MRW / MRR |
MR13 |
| 模式寄存器（JESD79-5C §3.5）· 片上 ECC / ECS 错误检查擦洗（MR14~MR20） | ||||
| MR14 · 透明 ECC 配置 (MR14) | 片上 ECC 的“透明”功能配置：主机可通过 ECC 引脚观察 / 注入错误，用于系统级 RAS 验证。 | MA = 0EH | MRW / MRR |
MR14 |
| MR15 · 每 Gb 存储单元的透明 ECC 阈值与自刷新期间自动 ECS (MR15) | 透明 ECC 的错误阈值（按每 Gb 单元计）与自刷新模式下是否自动执行 ECS。 | MA = 0FH | MRW / MRR |
MR15 |
| MR16 · 最大错误行地址 1 (MR16) | ECS / 错误跟踪报告的“错误最多的行地址”低字节（与 MR17 / MR18 拼成完整行地址）。 | MA = 10H | MRW / MRR |
MR16 |
| MR17 · 最大错误行地址 2 (MR17) | 最大错误行地址的中字节。 | MA = 11H | MRW / MRR |
MR17 |
| MR18 · 最大错误行地址 3 (MR18) | 最大错误行地址的高字节。 | MA = 12H | MRW / MRR |
MR18 |
| MR19 · 最大行错误计数 (MR19) | 错误最多的那个行的错误计数。 | MA = 13H | MRW / MRR |
MR19 |
| MR20 · 错误计数 EC (MR20) | ECS 周期内的错误计数（与 MR15 的阈值比较后决定是否上报 ALERT_n）。 | MA = 14H | MRW / MRR |
MR20 |
| 模式寄存器（JESD79-5C §3.5）· 训练 / MBIST / PPR（MR21~MR31） | ||||
| MR21 · DQS 接收端 CTLE 控制 (MR21) | DQS 接收器 CTLE（连续时间线性均衡器）的控制设置，用于补偿通道高频损耗。 | MA = 15H | MRW / MRR |
MR21 |
| MR22 · MBIST/mPPR 透明模式与 CA / CS_n 的 CTLE 设置 (MR22) | MBIST / mPPR 透明模式，以及 CA、CS_n 接收端 CTLE 的设置与能力指示位。 | MA = 16H | MRW / MRR |
MR22 |
| MR23 · MBIST / PPR 设置 (MR23) | 内建自测试（MBIST）与封装后修复（PPR）的运行设置。 | MA = 17H | MRW / MRR |
MR23 |
| MR24 · PPR 保护密钥 (MR24) | PPR 操作的保护密钥：写入正确的 guard key 后才允许执行 hPPR / sPPR。 | MA = 18H | MRW / MRR |
MR24 |
| MR25 · 读训练模式设置 (MR25) | 读训练（Read Training Pattern / LFSR 码型）的模式设置。 | MA = 19H | MRW / MRR |
MR25 |
| MR26 · 读码型数据 0 / LFSR0 (MR26) | 读训练码型的数据字节 0，或 LFSR 多项式 / 种子 0。 | MA = 1AH | MRW / MRR |
MR26 |
| MR27 · 读码型数据 1 / LFSR1 (MR27) | 读训练码型的数据字节 1，或 LFSR 种子 1。 | MA = 1BH | MRW / MRR |
MR27 |
| MR28 · 读码型反转（低位 DQ7:0） (MR28) | 逐位反转低 8 位 DQ（DQ7~DQ0）的读训练码型。 | MA = 1CH | MRW / MRR |
MR28 |
| MR29 · 读码型反转（高位 DQ15:8） (MR29) | 逐位反转高 8 位 DQ（DQ15~DQ8）的读训练码型。 | MA = 1DH | MRW / MRR |
MR29 |
| MR30 · 读 LFSR 分配 (MR30) | 把不同的 LFSR 分配给各 DQ 位，产生互不相关的训练码型。 | MA = 1EH | MRW / MRR |
MR30 |
| MR31 · 读训练码型地址 (MR31) | 读训练码型的起始地址（列地址）。 | MA = 1FH | MRW / MRR |
MR31 |
| 模式寄存器（JESD79-5C §3.5）· ODT 片上终端（MR32~MR40） | ||||
| MR32 · CK 与 CS 的片上终端 (MR32) | 时钟 CK_t/CK_c 与片选 CS_n 输入端的片上终端（CA/CS/CK ODT）。 | MA = 20H | MRW / MRR |
MR32 |
| MR33 · CA 与 DQS_PARK 的片上终端 (MR33) | 命令 / 地址总线与 DQS 在空闲（PARK）状态下的片上终端。 | MA = 21H | MRW / MRR |
MR33 |
| MR34 · RTT_PARK 与 RTT_WR (MR34) | RTT_WR / RTT_PARK | MA = 22H | MRW / MRR |
MR34 |
| MR35 · RTT_NOM_WR 与 RTT_NOM_RD (MR35) | RTT_NOM_RD / RTT_NOM_WR | MA = 23H | MRW / MRR |
MR35 |
| MR36 · 回环信号终端电阻 (MR36) | RTT_LB | MA = 24H | MRW / MRR |
MR36 |
| MR37 · ODTL 写控制偏移 (MR37) | 写方向 ODT 使能 / 去使能相对读写命令的偏移（ODTLon / ODTLoff 微调）。 | MA = 25H | MRW / MRR |
MR37 |
| MR38 · ODTL 非目标写控制偏移 (MR38) | 非目标（Non-Target）rank 在写方向的 ODT 控制偏移。 | MA = 26H | MRW / MRR |
MR38 |
| MR39 · ODTL 非目标读控制偏移 (MR39) | 非目标 rank 在读方向的 ODT 控制偏移。 | MA = 27H | MRW / MRR |
MR39 |
| MR40 · 读 DQS 偏移时序 (MR40) | 读 DQS 偏移（Read DQS Offset）相关的时序设置。 | MA = 28H | MRW / MRR |
MR40 |
| MR41 · 预留未来使用 (MR41) | 整个寄存器预留未来使用（RFU），必须编程为 0。 | MA = 29H | MRW / MRR |
MR41 |
| 模式寄存器（JESD79-5C §3.5）· DCA 占空比调整 / DQS 振荡器（MR42~MR47） | ||||
| MR42 · 支持的 DCA 类型 (MR42) | 器件支持哪些占空比调整（DCA）类型的能力指示位。 | MA = 2AH | MRW / MRR |
MR42 |
| MR43 · DCA 设置 1 (MR43) | DQS / CK 等信号的占空比调整码（第一组）。 | MA = 2BH | MRW / MRR |
MR43 |
| MR44 · DCA 设置 2 (MR44) | DQS / CK 等信号的占空比调整码（第二组）。 | MA = 2CH | MRW / MRR |
MR44 |
| MR45 · DQS 间隔振荡器控制 (MR45) | DQS 间隔振荡器（DQS Interval Oscillator）的控制与启动设置。 | MA = 2DH | MRW / MRR |
MR45 |
| MR46 · DQS 振荡计数低字节 (MR46) | DQS 间隔振荡器计数值的低 8 位。 | MA = 2EH | MRW / MRR |
MR46 |
| MR47 · DQS 振荡计数高字节 (MR47) | DQS 间隔振荡器计数值的高位。 | MA = 2FH | MRW / MRR |
MR47 |
| 模式寄存器（JESD79-5C §3.5）· 写码型 / 写 CRC / 回环（MR48~MR53） | ||||
| MR48 · 写码型模式 (MR48) | 写训练码型（WRP 命令使用）的模式与码型选择。 | MA = 30H | MRW / MRR |
MR48 |
| MR49 · 未定义（规范目录未列出） (MR49) | JESD79-5C 目录未给出 MR49 的章节，视为未定义 / 预留。 | MA = 31H | MRW / MRR |
MR49 |
| MR50 · 写 CRC 设置 (MR50) | 写 CRC 的使能、模式与自动关闭（auto-disable）相关设置。 | MA = 32H | MRW / MRR |
MR50 |
| MR51 · 写 CRC 自动关闭阈值 (MR51) | 触发写 CRC 自动关闭的错误阈值。 | MA = 33H | MRW / MRR |
MR51 |
| MR52 · 写 CRC 自动关闭窗口 (MR52) | 写 CRC 自动关闭的统计窗口长度。 | MA = 34H | MRW / MRR |
MR52 |
| MR53 · 回环模式 (MR53) | 回环（Loopback）输出模式：正常输出 / 写突发输出等，用于主机侧 LBDQS + LBDQ 的自发自收训练。 | MA = 35H | MRW / MRR |
MR53 |
| 模式寄存器（JESD79-5C §3.5）· hPPR / 刷新管理 / 测试与标识（MR54~MR70） | ||||
| MR54 · 硬修复 hPPR 资源 1 (MR54) | 硬封装后修复（hPPR）可用资源 / 行地址记录。 | MA = 36H | MRW / MRR |
MR54 |
| MR55 · 硬修复 hPPR 资源 2 (MR55) | hPPR 资源（续）。 | MA = 37H | MRW / MRR |
MR55 |
| MR56 · 硬修复 hPPR 资源 3 (MR56) | hPPR 资源（续）。 | MA = 38H | MRW / MRR |
MR56 |
| MR57 · 硬修复 hPPR 资源 4 (MR57) | hPPR 资源（续）。 | MA = 39H | MRW / MRR |
MR57 |
| MR58 · 刷新管理 RFM (MR58) | 刷新管理（RFM）：是否需要 RFM、RFM 的等级与计数配置。 | MA = 3AH | MRW / MRR |
MR58 |
| MR59 · 定向 / 自适应刷新管理与 RAA 计数器 (MR59) | 定向刷新管理（DRFM）、自适应刷新管理（ARFM）与 RAA（Rolling Accumulated Activation）计数器，用于 row-hammer 缓解。 | MA = 3BH | MRW / MRR |
MR59 |
| MR60 · 部分阵列自刷新 PASR (MR60) | 部分阵列自刷新（PASR）：自刷新时只保留部分 bank / 段，降低自刷新功耗。 | MA = 3CH | MRW / MRR |
MR60 |
| MR61 · 封装输出驱动测试模式 (MR61) | （可选）封装输出驱动的测试模式。 | MA = 3DH | MRW / MRR |
MR61 |
| MR62 · 厂商特定 (MR62) | 厂商自定义用途，详见厂商数据手册。 | MA = 3EH | MRW / MRR |
MR62 |
| MR63 · DRAM 便签寄存器 (MR63) | 主机可自由读写的 1 字节便签（scratchpad），掉电不保持，常用于初始化调试。 | MA = 3FH | MRW / MRR |
MR63 |
| MR64 · NVRAM 分页（预留） (MR64) | NVRAM 分页，当前为 RFU。 | MA = 40H | MRW / MRR |
MR64 |
| MR65 · 序列号字节 1 (MR65) | 器件唯一序列号（与 MR66~MR69 共 5 字节）。 | MA = 41H | MRW / MRR |
MR65 |
| MR66 · 序列号字节 2 (MR66) | 器件序列号字节 2。 | MA = 42H | MRW / MRR |
MR66 |
| MR67 · 序列号字节 3 (MR67) | 器件序列号字节 3。 | MA = 43H | MRW / MRR |
MR67 |
| MR68 · 序列号字节 4 (MR68) | 器件序列号字节 4。 | MA = 44H | MRW / MRR |
MR68 |
| MR69 · 序列号字节 5 (MR69) | 器件序列号字节 5。 | MA = 45H | MRW / MRR |
MR69 |
| MR70 · MR70~MR75（未列出） (MR70) | JESD79-5C 目录把 MR70~MR75 合并为一条，未逐个给出名称。 | MA = 46H | MRW / MRR |
MR70 |
| 模式寄存器（JESD79-5C §3.5）· DFE 判决反馈均衡（MR103~MR254） | ||||
| MR111 · DFE 全局设置 (MR111) | 判决反馈均衡（DFE）的全局使能与模式设置。 | MA = 6FH | MRW / MRR |
MR111 |
| MR103 · DQS_L_t 的 DCA（IBCLK / QCLK） (MR103) | 下半字节 DQS（DQSL_t）相对 IBCLK 与 QCLK 的占空比调整码。 | MA = 67H | MRW / MRR |
MR103 |
| MR104 · DQS_L_t 的 DCA（QBCLK） (MR104) | DQSL_t 相对 QBCLK 的占空比调整码。 | MA = 68H | MRW / MRR |
MR104 |
| MR105 · DQS_L_c 的 DCA（IBCLK / QCLK） (MR105) | 下半字节 DQS 互补端（DQSL_c）的占空比调整码。 | MA = 69H | MRW / MRR |
MR105 |
| MR106 · DQS_L_c 的 DCA（QBCLK） (MR106) | DQSL_c 相对 QBCLK 的占空比调整码。 | MA = 6AH | MRW / MRR |
MR106 |
| MR107 · DQS_U_t 的 DCA（IBCLK / QCLK） (MR107) | 上半字节 DQS（DQSU_t）的占空比调整码。 | MA = 6BH | MRW / MRR |
MR107 |
| MR108 · DQS_U_t 的 DCA（QBCLK） (MR108) | DQSU_t 相对 QBCLK 的占空比调整码。 | MA = 6CH | MRW / MRR |
MR108 |
| MR109 · DQS_U_c 的 DCA（IBCLK / QCLK） (MR109) | 上半字节 DQS 互补端（DQSU_c）的占空比调整码。 | MA = 6DH | MRW / MRR |
MR109 |
| MR110 · DQS_U_c 的 DCA（QBCLK） (MR110) | DQSU_c 相对 QBCLK 的占空比调整码。 | MA = 6EH | MRW / MRR |
MR110 |
| MR112 · DFE 增益偏置（每 DQ 一位） (MR112) | DFE 增益 / 偏置：MR112~MR127 与 MR248 起的一组，按 DQ 位逐一设置。 | MA = 70H | MRW / MRR |
MR112 |
| MR113 · DFE 抽头 1（每 DQ 一位） (MR113) | DFE 第 1 抽头系数，按 DQ 位逐一设置（MR113 起，MR249 为另一组）。 | MA = 71H | MRW / MRR |
MR113 |
| MR114 · DFE 抽头 2（每 DQ 一位） (MR114) | DFE 第 2 抽头系数，按 DQ 位逐一设置。 | MA = 72H | MRW / MRR |
MR114 |
| MR115 · DFE 抽头 3（每 DQ 一位） (MR115) | DFE 第 3 抽头系数，按 DQ 位逐一设置。 | MA = 73H | MRW / MRR |
MR115 |
| MR116 · DFE 抽头 4（每 DQ 一位） (MR116) | DFE 第 4 抽头系数，按 DQ 位逐一设置。 | MA = 74H | MRW / MRR |
MR116 |
| MR117 · 预留未来使用 (MR117) | 整个寄存器预留未来使用（RFU）。 | MA = 75H | MRW / MRR |
MR117 |
| MR118 · DML 的 VrefDQ 偏移 (MR118) | 数据掩码低位（DML）的 VrefDQ 偏移。 | MA = 76H | MRW / MRR |
MR118 |
| MR126 · DMU 的 VrefDQ 偏移 (MR126) | 数据掩码高位（DMU）的 VrefDQ 偏移。 | MA = 7EH | MRW / MRR |
MR126 |
| MR133 · DQL0 的 DCA（IBCLK / QCLK） (MR133) | 低字节 DQ0 的占空比调整码。每颗 DQ 占 8 个 MA：DQLn 从 85H + 8n 起，DQUm 从 C5H + 8m 起。 | MA = 85H | MRW / MRR |
MR133 |
| MR134 · DQL0 的 DCA（QBCLK）与 VrefDQ 偏移 (MR134) | 低字节 DQ0 相对 QBCLK 的占空比调整码，以及该位的 VrefDQ 偏移。 | MA = 86H | MRW / MRR |
MR134 |
| MR197 · DQU0 的 DCA（IBCLK / QCLK） (MR197) | 高字节 DQ0（DQ8）的占空比调整码（MA = C5H）。 | MA = C5H | MRW / MRR |
MR197 |
| MR198 · DQU0 的 DCA（QBCLK）与 VrefDQ 偏移 (MR198) | 高字节 DQ0 相对 QBCLK 的占空比调整码，以及该位的 VrefDQ 偏移（MA = C6H）。 | MA = C6H | MRW / MRR |
MR198 |
| MR254 · DQU7 的 DCA（QBCLK）与 VrefDQ 偏移 (MR254) | 高字节 DQ7（DQ15）的 DCA 与 VrefDQ 偏移，是 DFE per-bit 区的最后一个寄存器（MA = FEH）。 | MA = FEH | MRW / MRR |
MR254 |